蓝宝石晶片从直径50 毫米 增大到直径100,150,200 甚至300 毫米。尺寸变大了,对后续的芯片加工好处颇多。大尺寸的晶片可以直接减少小尺寸晶片的加工次数,提高规模经济效益。大尺寸的晶片可以减少边缘的缺陷区域,提高晶片的使用面积。这意味着提高良率并减少单位芯片的成本。此外,大尺寸晶片便于使用高级的自动化系统和过程控制设备,使误差和错误降低到最小。这进一步降低了加工成本。最终使芯片(包括LED芯片)的生产效率更高,生产的芯片更加物美价廉。
然而,大尺寸晶片的这些优势之所以得以发挥取决于能否对蓝宝石的传统长晶方法有技术上的突破。传统的长晶方法包括热交换法(HEM)和KY法。
HEM法发明于上世纪60年代。该方法是原料熔化并向上长晶,并用氦气进行热交换。长晶快、成本低,但质量差且坩埚消耗大。
KY法诞生于上世纪70年代。该方法也是熔化长晶。上部是籽晶,提拉长晶,自然冷却。能源消耗很大。手工放置籽晶,费时费力。但长晶质量好,可以掏出晶棒制成直径50 毫米 和100 毫米的晶片。
法姆泰克于2012年开发了新的蓝宝石长晶技术,称作McSAP技术。它是一种改进的HEM长晶方法。该方法为半自动长晶方法,可沿任何轴向长晶。功耗低、生产率高。长出的晶体可以直接成为高产量的晶棒,无须垂直掏棒。可用来制造直径150、200甚至300毫米的晶片。
McSAP技术革新了蓝宝石长晶方法,可制成零排放蓝宝石半导体衬底(ZESSS)。该衬底具有卓越的质量和很高的良率。这些大直径晶棒是LED、miniLED、microLED和功率GaN产品等应用中使用的半导体蓝宝石衬底的理想选择。
我们与挪威的北极蓝宝石及澳大利亚的阿尔法蓝宝石构成了稳定的供应链,使我们在欧洲、北美和亚洲市场密切合作优势互补。我们承诺的质量可追溯性,包括产品碳足迹,和强大的质量管理系统,进一步确保了我们蓝宝石材料的质量一致性和可靠性。
McSAP技术能够沿C轴长出优质的晶体,且良率高废品最少,是大规模制作蓝宝石晶片的理想材料。
这意味着法姆泰克有能力提供:
经得起未来考验的技术:McSAP技术为制造直径可达300 毫米的晶片铺平了道路。进而为芯片制造商实现最高的制作效率并创造最大的经济效益提供了可能。